Defect Formation During Sublimation Bulk Crystal Growth of Silicon Carbide

著者名:

• Ohtani, N.
• Takahashi, J.
• Katsuno, M
• Yashiro, H.
• Kanaya, M.

掲載資料名:

Defect and impurity engineered semiconductors, II : symposium held April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A.

シリーズ名:

Materials Research Society symposium proceedings

シリーズ巻号:

510

発行年:

1998

開始ページ:

37

出版情報:

Warrendale, Pa: MRS - Materials Research Society

ISSN:

02729172

ISBN:

9781558994164 [1558994165]

言語:

英語

請求記号:

M23500/510

資料種別:

国際会議録