1.

国際会議録
国際会議録
1. Modification of SiO2/4H-SiC Interface Properties by High-Pressure H2O Vapor Annealing
D. Takeda ; H. Yano ; T. Hatayama ; Y. Uraoka ; T. Fuyuki
出版情報: Silicon carbide and related materials 2006 : ECSCRM 2006, Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, UK, September 2006.  pp.663-666,  2007.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 556-557
2.

国際会議録
国際会議録
2. Sloped Sidewalls in 4H-SiC Mesa Structure Formed by a Cl2-O2 Thermal Etching
S. Takenami ; T. Hatayama ; H. Yano ; Y. Uraoka ; T. Fuyuki
出版情報: Silicon carbide and related materials 2006 : ECSCRM 2006, Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, UK, September 2006.  pp.733-736,  2007.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 556-557
3.

国際会議録
国際会議録
3. Low-Temperature Crystallization of Amorphous Si Films Using Ferritin Protein with Ni Nanoparticles
Y. Uraoka ; H. Kirimura ; T. Fuyuki ; M. Okuda ; I. Yamashita
出版情報: Thin Film Transistor Technology 8.  pp.195-201,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(8)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Room-Temperature Sputter-Deposited Gate SiO2 Films for High Quality Poly-Si TFTs
T. Serikawa ; T. Miyamoto ; H. Ueno ; Y. Sugawara ; Y. Uraoka
出版情報: Thin Film Transistor Technology 8.  pp.107-112,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(8)
5.

国際会議録
国際会議録
5. Development of ALD/PECVD Reactor for High Quality LTPS-TFTs Insulator
K. Murata ; N. Miyatake ; Y. Mori ; H. Tachibana ; Y. Uraoka
出版情報: Thin Film Transistor Technology 8.  pp.101-106,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(8)
6.

国際会議録
国際会議録
6. Crystallization of Double-Layered Silicon Thin Films by Solid Green Laser Annealing and Its Application to Low Temperature poly-Si Thin Film Transistors
Y. Sugawara ; Y. Uraoka ; H. Yano ; T. Hatayama ; T. Fuyuki
出版情報: Thin Film Transistor Technology 8.  pp.173-178,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(8)
7.

国際会議録
国際会議録
7. Criteria for Accurate Measurement of Charge-Pumping Current in 4H-SiC MOSFETs
D. Okamoto ; H. Yano ; T. Hatayama ; Y. Uraoka ; T. Fuyuki
出版情報: Silicon carbide and related materials 2007 : selected peer reviewed papers from the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu Prince Hotel Covention Hall, Lake Biwa Resort, Otsu, Japan, October 14-19, 2007.  pp.747-750,  2009.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 600-603
8.

国際会議録
国際会議録
8. Anisotropic Etching of SiC in the Mixed Gas of Chlorine and Oxygen
T. Hatayama ; T. Shimizu ; H. Yano ; Y. Uraoka ; T. Fuyuki
出版情報: Silicon carbide and related materials 2007 : selected peer reviewed papers from the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu Prince Hotel Covention Hall, Lake Biwa Resort, Otsu, Japan, October 14-19, 2007.  pp.659-662,  2009.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 600-603
9.

国際会議録
国際会議録
9. Increased Channel Mobility in 4H-SiC UMOSFETs Using On-Axis Substrates
H. Yano ; H. Nakao ; T. Hatayama ; Y. Uraoka ; T. Fuyuki
出版情報: Silicon carbide and related materials 2006 : ECSCRM 2006, Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, UK, September 2006.  pp.807-810,  2007.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 556-557
10.

国際会議録
国際会議録
10. Significant Decrease of the Interface State Density by NH3 Plasma Pretreatment at 4H-SiC (000-1) Surface and its Bond Configuration
Y. Iwasaki ; H. Yano ; T. Hatayama ; Y. Uraoka ; T. Fuyuki
出版情報: Silicon carbide and related materials 2009 : selected peer reviewed papers from the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009, Nurnberg, Germany, October 11-16, 2009.  pp.503-506,  2010.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 645-648