1.

国際会議録
国際会議録
1. High-Resolution X-ray Diffraction and X-ray Topography Study of GaN on Al2O3
Chaudhuri, J. ; Ng, M. Hooe ; Koleske, D. D. ; Wickenden, A. E. ; Henry, R. L.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high power, high frequency, and high temperature : symposium held April 13-15, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.315-,  1998.  Warrendale, Penn..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 512
2.

国際会議録
国際会議録
2. Analysis of Strain in GaN on Al2O3 and 6H-SiC: Near-Bandedge Phenomena
Edwards, N. V. ; Bremser, M. D. ; Weeks, T. W., Jr. ; Kern, R. S. ; Liu, H. ; Stall, R. A. ; Wickenden, A. E. ; Doverspike, K. ; Gaskill, D. K. ; Freitas, J. A., Jr. ; Rossow, U. ; Davis, R. F. ; Aspnes, D. E.
出版情報: Gallium nitride and related materials : the First International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.405-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 395
3.

国際会議録
国際会議録
3. Current-voltage characteristics of ungated AlGaN/GaN heterostructures
Albrecht, J. D. ; Ruden, P. P. ; Binari, S. C. ; Ikossi-Anastasiou, K. ; Ancona, M. G. ; Henry, R. L. ; Koleske, D. D. ; Wickenden, A. E.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency, and high temperature applications--1999 : symposium held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.489-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 572
4.

国際会議録
国際会議録
4. Correlation of drain current pulsed response with microwave power output in AlGaN/GaN HEMTs
Binari, S. C. ; Ikossi-Anastasiou, K. ; Kruppa, W. ; Dietrich, H. B. ; Kelner, G. ; Henry, R. L. ; Koleske, D. D. ; Wickenden, A. E.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency, and high temperature applications--1999 : symposium held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.541-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 572
5.

国際会議録
国際会議録
5. A Kinetic Model for GaN Growth
Koleske, D. D. ; Wickenden, A. E. ; Henry, R. L. ; DeSisto, W. J. ; Gorman, R. J.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.167-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
6.

国際会議録
国際会議録
6. Magnetic Resonance Studies of High-Resistivity GaN Films Grown on Al2O3
Glaser, E. R. ; Kennedy, T. A. ; Wickenden, A. E. ; Koleske, D. D. ; Freitas, J. A., Jr.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.543-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
7.

国際会議録
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7. Persistent Photoconductivity in n-Type GaN
Wickenden, A. E. ; Beadie, G. ; Koleske, D. D. ; Rabinovich, W. S. ; Freitas, J. A., Jr.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.531-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
8.

国際会議録
国際会議録
8. GaN decomposition in ammonia
Koleske, D. D. ; Wickenden, A. E. ; Henry, R. L.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W3.64.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595
9.

国際会議録
国際会議録
9. Enhanced GaN Decomposition at MOVPE Pressures
Koleske, D. D. ; Wickenden, A. E. ; Henry, R. L. ; Twigg, M. E. ; Culbertson, J. C. ; Gorman, R. J.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G3.70.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
10.

国際会議録
国際会議録
10. Extrinsic Performance Limitations of AlGaN/GaN Heterostructre Field Effect Transistors
Ruden, P. P. ; Albrecht, J. D. ; Sutandi, A. ; Binari, S. C. ; Ikossi-Anastasiou, K. ; Ancona, M. G. ; Henry, R. L. ; Koleske, D. D. ; Wickenden, A. E.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G6.35.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537