1.

国際会議録
国際会議録
1. Novel Power Si/4H-SiC Heterojunction Tunneling Transistor (HETT)
Hayashi, T. ; Shimoida, Y. ; Tanaka, H. ; Yamagami, S. ; Tanimoto, S. ; Hoshi, M.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1453-1456,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
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2. Impact of Dislocations on Gate Oxide in SiC MOS Devices and High Reliability ONO Dielectrics
Tanimoto, S.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.955-960,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
3.

国際会議録
国際会議録
3. Electrical Characteristics of Al+ Ion-Implanted 4H-SiC
Tanaka, H. ; Tanimoto, S. ; Yamanaka, M. ; Hoshi, M.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.803-806,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
4.

国際会議録
国際会議録
4. 4H-SiC ACCUFET with a Two-Layer Stacked Gate Oxide
Kaneko, S. ; Tanaka, H. ; Shimoida, Y. ; Kiritani, N. ; Tanimoto, S. ; Yamanaka, M. ; Hoshi, M.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1073-1076,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
5.

国際会議録
国際会議録
5. Ion-Implantation Induced Deep Levels in SiC Studied by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy (ICTS)
Ono, R. ; Fujimaki, M. ; Senzaki, J. ; Tanimoto, S. ; Shinohe, T. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.847-850,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
6.

国際会議録
国際会議録
6. Ohmic Contact Structure and Fabrication Process Applicable to Practical SiC Devices
Tanimoto, S. ; Kiritani, N. ; Hoshi, M. ; Okushi, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.879-884,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
7.

国際会議録
国際会議録
7. Fabrication of 4H-SiC Planar MESFETs Having Low Contact Resistance
Na, H.J. ; Kim, H.J. ; Adachi, K. ; Kiritani, N. ; Tanimoto, S. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1383-1386,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
8.

国際会議録
国際会議録
8. New High-Voltage Unipolar Mode p+ Si/n- 4H-SiC Heterojunction Diode
Hayashi, T. ; Tanaka, H. ; Shimoida, Y. ; Tanimoto, S. ; Hoshi, M.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.953-956,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
9.

国際会議録
国際会議録
9. High-Reliability ONO Gate Dielectric for Power MOSFETs
Tanimoto, S. ; Tanaka, H. ; Hayashi, T. ; Shimoida, Y. ; Hoshi, M. ; Mihara, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.677-680,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
10.

国際会議録
国際会議録
10. Single Contact-Material MESFETs on 4H-SiC
Tanimoto, S. ; Inada, M. ; Kiritani, N. ; Hoshi, M. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.1221-1224,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460