1.

国際会議録
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1. EFFECTS OF GROWTH CONDITIONS ON THE OPTICAL PROPERTIES OF HETEROEPITAXIAL ZnTe GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
Zhang, Y. ; Skromme, B. J. ; Turco-Sandroff, F. S.
出版情報: Heteroepitaxy of dissimilar materials : symposium held April 29-May 2, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.235-242,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 221
2.

国際会議録
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2. PHOTOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION OF HETEROEPITAXIAL ZnSe/GaAs AND ZnSe/AlAs GROWN BY MBE
Skromme, B. J. ; Tamargo, M. C. ; de Miguel, J. L. ; Nahory, R. E.
出版情報: Epitaxy of semiconductor layered structures : symposium held November 30-December 4, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.577-582,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 102
3.

国際会議録
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3. MBE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF EPITAXIAL MnS AND ZnSe HETEROSTRUCTURES ON GaAs
Skromme, B. J. ; Zhang, Y. ; Liu, W. ; Parameshwaran, B. ; Smith, David J. ; Sivananthan, S.
出版情報: Growth, processing, and characterization of semiconductor heterostructures : Symposium held November 29-December 2, 1993, Massachusetts, U.S.A..  pp.15-,  1994.  Pittsburgh.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 326
4.

国際会議録
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4. Applications of High-Power Electronic Switches in the Electric Power Utility Industry and the Needs for High-Power Switching Devices
Heydt, G. T. ; Skromme, B. J.
出版情報: Power semiconductor materials and devices : symposium held December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.3-,  1998.  Warrendale, Penn..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 483
5.

国際会議録
国際会議録
5. Magnetoluminescence and Resonant Electronic Raman Scattering Investigation of Donors and Excitons in Hydride VPE and MOCVD GaN
Skromme, B. J. ; Jayapalan, J. ; Wang, D. ; Sankey, O. F.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.537-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
6.

国際会議録
国際会議録
6. Relationship of Basal Plane and Prismatic Stacking Faults in GaN to Low Temperature Photoluminescence Peaks at 〜3.4 eV and 〜3.2 eV
Bai, J. ; Dudley, M. ; Chen, L. ; Skromme, B. J. ; Hartlieb, P. J. ; Michaels, E. ; Kolis, J. W. ; Wagner, B. ; Davis, R. F. ; Chowdhury, U. ; Dupuis, R. D.
出版情報: GaN, AIN, InN and their alloys : symposium held November 29-December 3, 2004, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.721-726,  2005.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 831
7.

国際会議録
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7. ZnSe/III-V HETEROSTRUCTURES GROWN IN A MULTICHANBER MBE SYSTEM
Tamargo, M. C. ; de Miguel, J. L. ; Hwang, J. M. ; Skromme, B. J. ; Meynadier, M. H. ; Nahory, R. E. ; Farell, H. H.
出版情報: Epitaxy of semiconductor layered structures : symposium held November 30-December 4, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.125-130,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 102
8.

国際会議録
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8. Characterization of Ion Implanted GaN
Skromme, B. J. ; Martinez, G. L. ; Krasnobaev, L. ; Poker, D. B.
出版情報: GaN and related alloys - 2000 : symposium held November 27-December 1, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A..  2001.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 639
9.

国際会議録
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9. Fermi Level Pinning and Schottky Barrier Characteristics on Reactively Ion Etched 4H-SiC
Skromme, B. J. ; Luckowski, E. ; Moore, K. ; Clemens, S. ; Resnick, D. ; Gehoski, T. ; Ganser, D.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1029-1032,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
10.

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10. Photoluminescence, Reflectance, and Magnetospectroscopy of Shallow Excitons in GaN
Skromme, B. J. ; Zhao, H. ; Goldenberg, B. ; Kong, H. S. ; Leonard, M. T. ; Bulman, G. E. ; Abernathy, C. R. ; Pearton, S. J.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.713-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449