1.

国際会議録
国際会議録
1. MBE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF SixGe1-x MULTILAYER STRUCTURES ON Si(100) FOR USE AS A SUBSTRATE FOR GaAs HETEROEPITAXY
Posthill, J.B. ; Malta, D.P. ; Venkatasubramanian, R. ; Sharps, P.R. ; Timmons, M.L. ; Markunas, R.J. ; Humphreys, T.P. ; Parikh, N.R.
出版情報: Silicon molecular beam epitaxy : symposium held April 29-May 3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.265-270,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 220
2.

国際会議録
国際会議録
2. THE ROLE OF SILICON MONOHYDRIDE AND DIHYDRIDE IN THE PHOTOLUMINESCENCE OF POROUS SILICON AND PHOTOLUMINESCENCE OF POROUS SILICON BURIED UNDERNEATH EPITAXIAL GaP
Tsai, C. ; Li, K.-H. ; Sarathy, J. ; Jung, K. ; Shth, S. ; Hance, B.K. ; White, J.M. ; Kwong, D.-L. ; Sharps, P.R. ; Timmons, M.L. ; Venkatasubramanian, R. ; Hutchby, J.A. ; Campbell, J.C.
出版情報: Light emission from silicon : symposium held December 3-5, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.203-208,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 256
3.

国際会議録
国際会議録
3. MOCVD Grown InGaAsN Using efficent and Novel Precursor, Tertibutylhydrazine, for optoelectronic device applications. (Invited)
Li, N.V. ; Sharps, P.R. ; Newman, F. ; Chang, P.C. ; Baca, A.G. ; Hou, H.Q.
出版情報: State-of-the-art-program on compound semiconductors (STAPOCS XXXV) : proceedings of the international symposium.  pp.17-22,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-20
4.

テクニカルペーパー
テクニカルペーパー
4. High-Efficiency Advanced Triple-Junction (ATJ) Space Solar Cell Production at Emcore Photovoltaics
Sharps, P.R. ; Stan, M.A. ; Aiken, D.J. ; Fatemi, N.S. ; Spdafora, F.A.
出版情報: AIAA paper.  2003.  American Institute of Aeronautics and Astronautics
シリーズ名: AIAA Paper : Aerospace Sciences Meeting and Exhibit
シリーズ巻号: 2003