1.

国際会議録
国際会議録
1. CARBON INCORPORATION IN METAL ORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY GROWN GaAs USING CHYX1-Y, TMG, AND AsH3
Kuech, T.F. ; Buchan, N.I. ; Scilla, G. ; Cardone, F. ; Potemski, R.
出版情報: Chemical perspectives of microelectronic materials II : symposium held November 26-28, 1990, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.171-176,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 204
2.

国際会議録
国際会議録
2. GROWTH AND CHARACTERIZATION OF HIGHLY OXYGEN-DOPED GaAs
Goorsky, M.S. ; Kuech, T.F. ; Mooney, P.M. ; Cardone, F. ; Potemski, R.
出版情報: Chemical perspectives of microelectronic materials II : symposium held November 26-28, 1990, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.177-182,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 204
3.

国際会議録
国際会議録
3. SELECTIVE EPITAXY OF AlXGa1-XAs AND AlXGa1-XAs BASED STRUCTURES
Goorsky, M.S. ; Kuech, T.F. ; Potemski, R.
出版情報: In-situ patterning : selective area deposition and etching : symposium held November 29-December 1, 1989, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.351-356,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 158