1.

国際会議録
国際会議録
1. Electrical and Optical Characterization of Homojunction Gallium Nitride Light-Emitting Diodes
Laws, G. M. ; Morgan, J. ; Ren, G. B. ; Harrison, I. ; Larkins, E. C. ; Orton, J. W. ; Hooper, S. E. ; Cheng, T. ; Foxon, C. T.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.1113-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
2.

国際会議録
国際会議録
2. TEM and PL Characterization of MBE-Grown Epitaxial GaN/GaAs
Xin, Yan ; Brown, P. D. ; Boothroyd, C. B. ; Preston, A. R. ; Humphreys, C. J. ; Cheng, T. S. ; Foxon, C. T. ; Andrianov, A. V. ; Orton, J. W.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.311-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423
3.

国際会議録
国際会議録
3. The Growth of GaN Films by Migration-Enhanced Epitaxy
Hooper, S. E. ; Foxon, C. T. ; Cheng, T. S. ; Jeffs, N. J. ; Ren, G. B. ; Lacklison, D. E. ; Orton, J. W. ; Duggan, G.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.325-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449