1.

国際会議録
国際会議録
1. Fabrication of Compact Ion Implanter for Silicon Carbide Devices
Mitani, S. ; Yamaguchi, S. ; Furukawa, S. ; Nakata, T. ; Horino, Y. ; Ono, R. ; Hosokawa, Y. ; Miyamoto, M. ; Nishino, S.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.605-608,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
2.

国際会議録
国際会議録
2. Ion-Implantation Induced Deep Levels in SiC Studied by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy (ICTS)
Ono, R. ; Fujimaki, M. ; Senzaki, J. ; Tanimoto, S. ; Shinohe, T. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.847-850,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
3.

国際会議録
国際会議録
3. SiC Device Limitation Breakthrough with Novel Floating Junction Structure on 4H-SiC
Adachi, K. ; Omura, I. ; Ono, R. ; Nishio, J. ; Shinohe, T. ; Ohashi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.887-890,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436
4.

国際会議録
国際会議録
4. Breakdown Electric Field in 4H-SiC Epitaxial Layer Grown on Various Net-Doping Substrates
Ono, R. ; Fujimaki, M. ; Hon-Joo, N. ; Tanimoto, S. ; Shinohe, T. ; Yatsuo, T. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.435-438,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436
5.

国際会議録
国際会議録
5. Mapping on Bulk and Epitaxy Layer 4H-SiC
Ono, R. ; Yatsuo, T. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.431-434,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436
6.

国際会議録
国際会議録
6. Ion-Implantation Induced Deep Levels in SiC Studied by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy (ICTS)
Ono, R. ; Fujimaki, M. ; Senzaki, J. ; Tanimoto, S. ; Shinohe, T. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.847-850,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
7.

国際会議録
国際会議録
7. Distribution Profile of Deep Levels in SiC Observed by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy
Fujimaki, M. ; Ono, R. ; Kushibe, M. ; Masahara, K. ; Kojima, K. ; Shinohe, T. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.851-854,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
8.

国際会議録
国際会議録
8. Optical diagnosis of atmospheric pressure nonthermal plasma for pollution control [5880-23]
Oda, T. ; Ono, R. ; Takezawa, K.
出版情報: Optical Diagnostics.  pp.58800M-,  2005.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society of Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 5880