1.

国際会議録
国際会議録
1. Kinetics Of TEOS Surface Reactions On Si02 Between 765 K And 1200 K Studied With FTIR
Bartram, M.E. ; Moffat, H.K.
出版情報: Proceedings of the third Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films.  pp.539-548,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-16
2.

国際会議録
国際会議録
2. Reaction-Transport Models of the Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Gallium Nitride
Puwlosvski, R.P. ; Theodoropoulos, C. ; Salinger, A.G. ; Moffat, H.K. ; Mountziuris, T.J. ; Shadid, J.N. ; Thrush, E.J.
出版情報: CVD XV, proceedings of the fifteenth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.675-682,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-13
3.

国際会議録
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3. Surface Stoichiometry, Structure, and Kinetics of GAAS MOCVD
Creighton, J.R. ; Moffat, H.K. ; Baucom, K.C.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Fundamental Gas-phase and Surface Chemistry of Vapor-phase Materials Synthesis.  pp.75-88,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-23
4.

国際会議録
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4. GCMS and FTIR Studies of By-Product Inhibited Growth and the Rate-Limiting Step in TEOS-Based SiO2CVD
Bartram, M.E. ; Moffat, H.K.
出版情報: ULSI science and technology, 1995 : proceedings of the Fifth International Symposium on Ultra Large Scale Integration Science and Technology.  pp.347-353,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-5
5.

国際会議録
国際会議録
5. TEOS Surface Chemistry on SiO2 at CVD Temperatures and Pressures
Bartram, M.E. ; Moffat, H.K.
出版情報: Proceedings of the Thirteenth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.842-849,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-5