1.

国際会議録
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1. Phosphorus Doping Effects on Si1-xGex Epitaxial Film Growth in the SiH4-GeH4-PH3 Gas System Using Ultraclean LPCVD
Lee, C.J. ; Sakuraba, M. ; Ishii, M. ; Matsuura, T. ; Murota, J. ; Kawashima, I. ; Yabumoto, N.
出版情報: Chemical vapor deposition : proceedings of the Fourteenth International Conference and EUROCVD-11.  pp.1356-1363,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-25
2.

国際会議録
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2. Low Frequency Noise in Sil-xGex Channel PMOSFETs
Tsuchiya, T. ; Matsuura, T. ; Murota, J.
出版情報: ULSI Process Integration : proceedings of the International Symposium.  pp.205-210,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-2
3.

国際会議録
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3. Atomic-Order Side-Wail Passivation with Nitrogen in ECR Plasma Etching of Si
Matsuura, T. ; Seino, T. ; Murota, J.
出版情報: Plasma etching processes for sub-quarter micron devices : proceedings of the international symposium.  pp.220-225,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-30
4.

国際会議録
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4. Side-Wall Protection by B in P-Doped Polysilicon in Gate Etching
Seino, T. ; Fukuchi, A. ; Matsuura, T. ; Murota, J.
出版情報: ULSI Process Integration : proceedings of the International Symposium.  pp.324-332,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-2
5.

国際会議録
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5. 0.1 μm MOSFET with Super Self-Aligned Shallow Junction Electrodes
Ishii, M. ; Goto, K. ; Sakuraba, M. ; Matsuura, T. ; Murota, J. ; Koyanagi, M.
出版情報: ULSI science and technology, 1997 : proceedings of the Sixth International Symposium on Ultralarge Scale Integration Science and Technology.  pp.441-452,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-3
6.

国際会議録
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6. Atomic-Order Layer Role-Share Etching of Silicon Nitride Using an ECR Plasma
Honda, Y. ; Matsuura, T. ; Murota, J.
出版情報: Proceedings of the twelfth International Symposium on Plasma Processing.  pp.94-100,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-4
7.

国際会議録
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7. Surface Adsorption and Reaction of Chlorine on Impurity-Doped Si Using an ECR Plasma
Kanetsuna, T. ; Matsuura, T. ; Murota, J.
出版情報: Plasma processing XIII : proceedings of the international symposium.  pp.251-256,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-6
8.

国際会議録
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8. High Quality SilxGex Epitaxial Growth by CVD
Murota, J. ; Sakuraba, M. ; Matsuura, T.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Defects in Silicon.  pp.189-202,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-1
9.

国際会議録
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9. ATOMIC-LAYER DOPING OF N IN Si EPITAXIAL GROWTH ON Si(100) AND ITS THERMAL SABILITY
Jeong, Y. ; Sakuraba, M. ; Matsuura, T. ; Murota, J.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.287-296,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
10.

国際会議録
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10. Super Self-Aligned Processing for Sub 0.1 μm MOS Devices Using Selective Si l-xGexCVD
Kikuchi, T. ; Yamashiro, T. ; Moriya, A. ; Noda, T. ; Yamamoto, Y. ; Deng, C. ; Sakuraba, M. ; Matsuura, T. ; Murota, J.
出版情報: ULSI process integration : proceedings of the first international symposium.  pp.147-156,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-18