1.

国際会議録
国際会議録
1. Workfunction (WF) Simulations of Ta/HfO2, Ta2C/HfO2 and Ta2C/La2O3/HfO2 Capped High-κ Stacks
N. Van der Heyden ; G. Pourtois ; S. De Gendt ; M. Heyns ; A. Stesmans
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 5.  pp.135-143,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(4)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Atomic Layer Deposition of HfO2 on (100) and (110) Oriented Silicon Surfaces
L. Nyns ; L. Ragnarsson ; L. Hall ; A. Delabie ; M. Heyns
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 5.  pp.73-77,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(4)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Threshold Voltage Control in PMOSFETs with Polysilicon or Fully-Silicided Gates on Hf-Based Gate Dielectric Using Controlled Lateral Oxidation
V. S. Kaushik ; K. Rohr ; S. Hyun ; S. De Gendt ; S. Van Elshocht ; A. Debbie ; J. Everoert ; A. Veboso ; S. Brus ; L. Ragnarason ; O. Richard ; M. Caymax ; M. Heyns
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.305-312,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Prospect of Hf-Dared Gate Dielectric by PVD with FUSI Gate for LSTP Application
M. Niwa ; R. Mitsuhashi ; S. Hayashi ; K. Yamamoto ; Y. Harada ; M. Kubota ; A. Rothchild ; T. Hoffmann ; S. Kubicek ; S. DeGendt ; M. Heyns ; A. Lauwers ; S. Biesemans ; J. Kittle
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.269-286,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
5.

国際会議録
国際会議録
5. Growth Studies and Reaction Mechanism of the Atomic Layer Deposition of Hafnium Oxide
A. Debbie ; M. Caymax ; S. Brijs ; D. Brunco ; T. Conard ; E. Sleeckx ; L. Ragnarsson ; S. Van Elshocht ; S. De Gendt ; M. Heyns
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.433-446,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
6.

国際会議録
国際会議録
6. Characterization of Atomic-Beam Deposited GeO₁₋xNx/HfO₂ Stacks on Ge
M. Houssa ; T. Conard ; J. Van Steenbergen ; G. Mavrou ; Y. Panayiotatos ; T. Dimaulas ; M. Meuris ; M. Caymax ; M. Heyns ; G. Nicholas
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.9-16,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
7.

国際会議録
国際会議録
7. A Step Towards a Better Understanding of Silicon Passivated (100)Ge p- Channel Devices
G. Pourtois ; M Houssa ; B. De Jaeger ; F. Leys ; B. Kaczer ; K. Martens ; M. Caymax ; M. Meuris ; G. Groeseneken ; M. Heyns
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 3 : new materials, processes and equipment.  pp.53-64,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(1)
8.

国際会議録
国際会議録
8. Evaluation of Nb(Si)N as Metal Gate Material
N. Van Hoornick ; H. De Witte ; T. Hitters ; C. Zhao ; T. Canard ; H. Huatori ; J. Swerts ; T. Schram ; J. Maes ; S. De Gendt ; M. Heyns
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.495-506,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)