1.

国際会議録
国際会議録
1. Drain Leakage Current Behavior in Circular Gate SOI nMOSFETs Operating from Room Temperature up to 573K
M. Bellodi ; L.M. Almeida
出版情報: Analytical and diagnostic techniques for semiconductor materials, devices and processes 7.  pp.71-84,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(3)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Influence of the N-Type FinFET Width on the Zero Temperature Coefficient
M. Bellodi ; J. A. Martino ; L. M. Camiio ; E. Simoen ; C. Claeys
出版情報: Microelectronics Technology and Devices : SBMICRO 2007.  pp.29-36,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 9(1)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Simple Analytical Model to Study the ZTC Bias Point in FinFETs
M. Bellodi ; L. Camillo ; J. A. Martino ; E. Simoen ; C. Claeys
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices 13.  pp.205-210,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(4)
4.

国際会議録
国際会議録
4. DMLM III Device Development for Enzymes Biochemical Reactions in Microgravity
A. La Neve ; M. Bellodi ; M.A.A. Melo ; M. Ferreira ; A.N. Pereira
出版情報: European Rocket and Balloon Programmes and Related Research : 20th ESA Symposium : 22-26 May 2011, Hyère, France.  pp.439-445,  2011.  Noordwijk.  ESA Communications
シリーズ名: ESA SP
シリーズ巻号: 700
5.

国際会議録
国際会議録
5. CADEN Device Development and Analysis of the Microgravity Effects on the Carbon Nanotubes films Properties
A. La Neve ; M. Bellodi ; M.A.A. Melo ; M. Ferreira ; R. Hauch
出版情報: European Rocket and Balloon Programmes and Related Research : 20th ESA Symposium : 22-26 May 2011, Hyère, France.  pp.523-528,  2011.  Noordwijk.  ESA Communications
シリーズ名: ESA SP
シリーズ巻号: 700
6.

国際会議録
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6. Study of the Drain Leakage Current Behavior in Circular Gate SOI nMOSFET Using 0.13μm SOI CMOS Technology at High Temperatures
L. M. Almeida ; M. Bellodi
出版情報: Microelectronics Technology and Devices : SBMICRO 2007.  pp.397-404,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 9(1)