1.

国際会議録
国際会議録
1. Issues and Opportunities for Complementary SiGe HBT Technology
J.D. Cressler
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.893-911,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Temperature Scalable Modeling of SiGe HBT DC Currents Down to 43K
Z. Feng ; G. Niu ; C. Zhu ; L. Najafizadeh ; J.D. Cressler
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.927-936,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
3.

国際会議録
国際会議録
3. The Cryogenic Operation of SiGe Heterojunction Bipolar Transistors: Status and Opportunities
J.D. Cressler
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.149-162,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-22