1.

国際会議録
国際会議録
1. Impact of Hf-Precursor Choice on Scaling and Performance of High-κ Gate Dielectrics
J. Maes ; Y. Fedorenko ; A. Delabie ; L. Ragnarsson ; J. Swerts
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 5.  pp.59-72,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(4)
2.

国際会議録
国際会議録
2. ALD La-Based Oxides for Vt-Tuning in High-Κ/Metal Gate Stacks
J. Swerts ; Y. Fedorenko ; J. Maes ; E. Tois ; A. Delabie
出版情報: Atomic layer deposition applications 3.  pp.201-211,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(7)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Evaluation of Nb(Si)N as Metal Gate Material
N. Van Hoornick ; H. De Witte ; T. Hitters ; C. Zhao ; T. Canard ; H. Huatori ; J. Swerts ; T. Schram ; J. Maes ; S. De Gendt ; M. Heyns
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.495-506,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)