1.

国際会議録
国際会議録
1. Dynamic Characteristics of 4H-SiC pin Dlode on (000-1)C-Face with Small Forward Degradation
Nakayama, K. ; Sugawara, Y. ; Ishii, R. ; Tsuchida, H. ; Miyanagi, T. ; Kamata, I. ; Nakamura, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1359-1362,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. Comparison of Propagation and Nucleation of Basal Plane Dislocations in 4H-SiC(000-1) and (0001) Epitaxy
Tsuchida, H. ; Kamata, I. ; Miyanagi, T. ; Nakamura, T. ; Nakayama, K. ; Ishii, R. ; Sugawara, Y.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.231-234,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
3.

国際会議録
国際会議録
3. Observation of Shrinking and Reformation of Shockley Stacking Faults by PL Mapping
Miyanagi, T. ; Tsuchida, H. ; Kamata, I. ; Nakamura, T. ; Ishii, R. ; Nakayama, K. ; Sugawara, Y.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.375-378,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
4.

国際会議録
国際会議録
4. Investigation of Basal Plane Dislocations in the 4H-SiC Epilayers Grown on {0001} Substrates
Tsuehida, H. ; Miyanagi, T. ; Kamata, I. ; Nakamura, T. ; Izumi, K. ; Nakayama, K. ; Ishii, R. ; Asano, K. ; Sugawara, Y.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.97-100,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
5.

国際会議録
国際会議録
5. 8.3 kV 4H-SiC PiN Diode on (0001) C-Face with Small Forward Voltage Degradation
Nakayama, K. ; Sugawara, Y. ; Tsuchida, H. ; Miyanagi, T. ; Kamata, I. ; Nakamura, T. ; Asano, K. ; Ishii, R.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.969-972,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485