1.

国際会議録
国際会議録
1. DOPANT SEGREGATION AT POLYCRYSTALLINE SILICON GRAIN BOUNDARIES IN DEVICE FABRICATION PROCESSES
Itoh, M. ; Aikawa, I. ; Hirashita, N. ; Ajioka, T.
出版情報: Materials issues in microcrystalline semiconductors : symposium held November 29-December 1, 1989, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.347-352,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 164
2.

国際会議録
国際会議録
2. INDIUM ION DOPING DURING Si MOLECULAR BEAM EPITAXY
Hirashita, N. ; Noel, J. -P. ; Rockett, A. ; Markert, L. ; Greene, J.-E. ; Hasan, M. A. ; Knall, J. ; Ni, W,.-X. ; Sundgren, J. _E
出版情報: Materials modification and growth using Ion beams : symposium held April 21-23, 1987, Anaheim, California, U.S.A..  pp.3-8,  1987.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 93
3.

国際会議録
国際会議録
3. (13.0) 8:00 - 8:10AM- Welcome (13.1) 8:10 - 8:30 AM - Effect of Growth Temperature on Lattice Relaxation during SiGe Growth on Si Substrates
Moriyama, Y. ; Sugiyama, N. ; Hirashita, N. ; Nakaharai, S. ; Takagi, S. (MIRAI-ASET)
出版情報: SiGe: materials, processing, and devices : proceedings of the First international symposium.  pp.849-856,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-07
4.

国際会議録
国際会議録
4. *FABRICATION OF Si-GATE CMOS DEVICES IN A HETEROEPITAXIAL Si/CaF2/Si STRUCTURE
Onoda, H. ; Sasaki, M. ; Katoh, T. ; Hirashita, N.
出版情報: Heteroepitaxy on silicon II : symposium held April 21-23, 1987, Anaheim, California, U.S.A..  pp.349-358,  1987.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 91
5.

国際会議録
国際会議録
5. THERMAL STABILITY OF HETEROEPITAXIAL CaF2/Si AND Si/CaF2/Si STRUCTURES
Hirashita, N. ; Sasaki, M. ; Onoda, H. ; Hagiwara, S.
出版情報: Layered structures, epitaxy, and interfaces : symposium held November 26-30, 1984, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.157-162,  1985.  Pittsburgh.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 37
6.

国際会議録
国際会議録
6. (3.1) 3:20 - 3:50 PM - Strained-Si/SiGe-on-Insulator CMOS Technology as a Platform of Device Performance Boosters (Invited)
Takagi, S. ; Mizuno, T. ; Tezuka, T ; Sugiyama, N. ; Numata, T. ; Usuda, K. ; Moriyama, Y. ; Nakaharai, S. ; Koga, J. ; Tanabe, A. ; Hirashita, N. ; Irisawa, T. ; Maeda, T.(MIRAI-AIST)
出版情報: SiGe: materials, processing, and devices : proceedings of the First international symposium.  pp.61-76,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-07
7.

国際会議録
国際会議録
7. REDUCTION OF Ca and F SEGREGATED AT THE SURFACE OF A Si/CaF2/Si(100) STRUCTURE BY SOLID PHASE EPITAXY OF Si
Sasaki, M. ; Onoda, H. ; Hirashita, N.
出版情報: Semiconductor-on-insulator and thin film transistor technology : symposium held December 3-6, 1985, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.149-154,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 53
8.

国際会議録
国際会議録
8. Fully depleted SOI process and device technology for digital and RF application
Ichikawa, F. ; Nagatomo, Y. ; Katakura, Y. ; Itoh, S. ; Matsuhashi, H. ; Hirashita, N. ; Baba, S.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XI : proceedings of the international symposium.  pp.123-132,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-5
9.

国際会議録
国際会議録
9. Fully Depleted SOI Process and Device Technology for Digital and RF Applications*
Ichikawa, F. ; Nagatomo, V. ; Katakura, V. ; Itoh, S. ; Matsuhashi, H. ; Hirashita, N. ; Baba, S.
出版情報: ULSI Process Integration : proceedings of the International Symposium.  pp.546-555,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-6