1.

国際会議録
国際会議録
1. On-Line Inference of Plasma Etch Uniformity Using In Situ Ellipsometry
Stefani, J. ; Butler, S.W. ; Barna, G. ; Henck, S.A.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Highly Selective Dry Etching and Damage Control.  pp.23-34,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-21
2.

国際会議録
国際会議録
2. Pad Oxide Roughening in a Remote Plasma Etch Process for Silicon Nitride Using an In Situ Spectral Ellipsometer
Loewenstein, L.M. ; Pohlmeier, R.K. ; Watts Butler, S. ; Henck, S.A. ; Duncan, W.M.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Highly Selective Dry Etching and Damage Control.  pp.373-384,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-21
3.

国際会議録
国際会議録
3. Rapid Scan Spectral Ellipsometry for In Situ Real-Time Wafer State Monitoring
Duncan, W.M. ; Henck, S.A. ; Kuehne, J.W. ; Loewenstein, L.M. ; Maung, S.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Diagnostic Techniques for Semiconductor Materials and Devices.  pp.193-206,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-33