1.

国際会議録
国際会議録
1. THE STRUCTURE OF GaAs GROWN BY CHEMICAL BEAM EPITAXY ON LOW-TEMPERATURE CLEANED SILICON
Xing, Y.R. ; Kiely, C.J. ; Goodhew, P.J.
出版情報: Semiconductor heterostructures for photonic and electronic applications : symposium held November 30-December 4, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.333-338,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 281
2.

国際会議録
国際会議録
2. DISORDERING OF A SHORT PERIOD GaAs-AlGaAs SUPERLATTICE BY C DIFFUSION
Jamal, Z. ; Goodhew, P.J.
出版情報: Chemical perspectives of microelectric materials III : symposium held November 30-December 3, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.145-150,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 282
3.

国際会議録
国際会議録
3. High Resolution Analysis of Embedded Quantum Dots
Harvey, A.J. ; Davock, H.J. ; Zhi, D. ; Zheng, J.G. ; Goodhew, P.J.
出版情報: Semiconductor quantum dots II : symposium held November 27-30, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A..  2001.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 642