1.

国際会議録
国際会議録
1. POSITRON-BEAM OBSERVATION OF DOPANT-DEFECT COMPLEXES IN AMORPHIZED SILICON
Goldberg, R.D. ; Leung, T.C. ; Mitchell, I.V. ; Schultz, P.J.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1993 : Symposium held April 13-16, San Francisco, California, U.S.A..  pp.1043-1048,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 297
2.

国際会議録
国際会議録
2. Damage And Dopant Distributions Produced By Ultra Shallow B And As Implants Into Si At Different Temperatures Characterized By Medium Energy Ion Scattering
Berg, J.A. van den ; Armour, D.G. ; Zhang, S. ; Whelan, S. ; Werner, M. ; Collart, E.H.J. ; Goldberg, R.D. ; Bailey, P. ; Noakes, T.C.Q.
出版情報: Silicon front-end junction formation technologies : symposium held April 2-4, 2002, San Francisco, California, U.S.A..  pp.303-308,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 717