1.

国際会議録
国際会議録
1. High Purity SiC EpitaxiaI Growth by Chemical Vapor Deposition Using CH3SiH3 and C3H8 Sources
Hatayama, T. ; Yano, H. ; Uraoka, Y. ; Fuyuki, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.203-206,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. 3-Dimensional Non-Destructive Dislocation Analyses in SiC Measured by Planar Electron-Beam-Induced Current Method
Yanagisawa, Y. ; Hatayama, T. ; Yano, H. ; Uraoka, Y. ; Fuyuki, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.423-426,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
3.

国際会議録
国際会議録
3. Reduction of Fluoride Species and Surface Roughness by H2 Gas Addition in SiC Dry Etching
Mikami, H. ; Horie, Y. ; Hatayama, T. ; Yano, H. ; Uraoka, Y. ; Fuyuki, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.757-760,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
4.

国際会議録
国際会議録
4. Fabrication and characterization of n- and p-channel poly-Si TFTs by sputtering deposition of ultra thin gate SiO2 films
Serikawa, T. ; Miyashita, M. ; Uraoka, Y. ; Fuyuki, T.
出版情報: Thin Film Transistor Technologies (TFTT VII) : proceedings of the international symposium.  pp.74-79,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-15
5.

国際会議録
国際会議録
5. ELECTRICAL PROPERTIES AND HYDROGEN INCORPORATION SCHEME OF a-Si:H/a-Si1-xCx:H MULTILAYERS
Yoshimoto, M. ; Fuyuki, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Amorphous silicon technology : symposium held April 5-8, 1988, Reno, Nevada, U.S.A..  pp.367-374,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 118
6.

国際会議録
国際会議録
6. Characterization of 4H-SiC MOSFETs with NO-Annealed CVD Oxide
Yano, H. ; Hatayama, T. ; Uraoka, Y. ; Fuyuki, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.971-974,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
7.

国際会議録
国際会議録
7. Characterization of 4H-SiC MOSFETs Formed on the Different Trench Sidewalls
Nakao, H. ; Mikami, H. ; Yano, H. ; Hatayama, T. ; Uraoka, Y. ; Fuyuki, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1293-1296,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
8.

国際会議録
国際会議録
8. Improvement of SiO2/α-SiC Interface Properties by Nitrogen Radical Treatment
Maeyama, Y. ; Yano, H. ; Hatayama, T. ; Uraoka, Y. ; Fuyuki, T. ; Shirafuji, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.997-1000,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
9.

国際会議録
国際会議録
9. Electrical Properties and Interface Reaction of Annealed Cu/4H-SiC Schottky Rectifiers
Hatayama, T. ; Kawahito, K. ; Kijima, H. ; Uraoka, Y. ; Fuyuki, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.925-928,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
10.

国際会議録
国際会議録
10. High Temperature NO Annealing of Deposited SiO2 and SiON Films on N-Type 4H-SiC
Yano, H. ; Hatayama, T. ; Uraoka, Y. ; Fuyuki, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.685-688,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485