1.

国際会議録
国際会議録
1. Relative Stability of HT vs.Hand H2T vs H;in c-C,Si,Ge and α-Sn and their Consequences
Maric,Dj.M. ; Roberson,M.A. ; Estreicher,S.K.
出版情報: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-17, Gmunden, Austria, July 18-23, 1993.  Pt.2  pp.1245-1250,  1994.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 143-147
2.

国際会議録
国際会議録
2. Passivation and Reactivation of(H,P)Pairs in Si
Estreicher,S.K. ; Jones,R.
出版情報: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-17, Gmunden, Austria, July 18-23, 1993.  Pt.2  pp.1215-1220,  1994.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 143-147
3.

国際会議録
国際会議録
3. New traps for H｡?in boron- and phosphorus-doped silicon
Korpas,L. ; Corbett,J.W. ; Estreicher,S.K.
出版情報: Proceedings of the 16th International Conference on Defects in Semiconductors : Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania, 22-26 July 1991.  Pt.1  pp.27-32,  1992.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 83-87
4.

国際会議録
国際会議録
4. Photoluminescence centres associated with noble-gas impurities in silicon
Estreicher,S.K. ; Weber,J.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part1  pp.605-610,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263
5.

国際会議録
国際会議録
5. Molecular-dynamics simulations of microscopic defects in silicon.(Invited)
Estreicher,S.K. ; Fedders,P.A.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part1  pp.171-178,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263
6.

国際会議録
国際会議録
6. Interstitial H and(H,B),(H.C),and(H,Si)pairs in Si and Ge
Maric,Dj.M. ; Meier,P.F. ; Estreicher,S.K.
出版情報: Proceedings of the 16th International Conference on Defects in Semiconductors : Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania, 22-26 July 1991.  Pt.1  pp.119-124,  1992.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 83-87
7.

国際会議録
国際会議録
7. Charge states of donor-hydrogen pairs in Si:a fragile balance
Estreicher,S.K. ; Seager,C.H. ; Anderson,R.A.
出版情報: Proceedings of the 16th International Conference on Defects in Semiconductors : Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania, 22-26 July 1991.  Pt.1  pp.63-68,  1992.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 83-87
8.

国際会議録
国際会議録
8. Vacancies and {V,Hn} Complexes in Si:Stable Structures,Relative Stability,and Diffusion Properties
Roberson,M.A. ; Estreicher,S.K. ; Korpas,L. ; Corbett,J.W.
出版情報: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-17, Gmunden, Austria, July 18-23, 1993.  Pt.2  pp.1227-1232,  1994.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 143-147
9.

国際会議録
国際会議録
9. Vacancy aggregates in silicon
Hastings,J.L. ; Estreicher,S.K. ; Fedders,P.A.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part1  pp.509-514,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263
10.

国際会議録
国際会議録
10. Calculations of the Neutral and Charged States of the {H,C} Pair in Silicon
Zhou,Y. ; Luchsinger,R. ; Meier,P.F. ; Suter,H.U. ; Maric,Dj. ; Estreicher,S.K.
出版情報: Proceedings of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-18, Sendai, Japan, July 23-28, 1995.  pp.891-896,  1995.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 196-201