1.

国際会議録
国際会議録
1. Electronic Properties of Adsorbates on In0.37Ga0.63As(001)-(2×4)
D.L. Winn ; T.J. Grassman ; A.C. Kummel
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 5.  pp.441-449,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(4)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Real Space Surface Reconstructions of Decapped As-rich In0.53Ga0.47As(001)-(2×4)
J. Shen ; D.L. Winn ; W. Melitz ; J.B. Clemens ; A.C. Kummel
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 6.  pp.463-468,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(5)