Comparison of the Planar-JBS against the Trench-MOS Rectifier-Design Based on 4H-SiC for 3.3 kV Applications

著者名:

H. Bartolf  

掲載資料名:

Silicon Carbide and Related Materials 2014 : Selected peer reviewed papers from the European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM 2014), September 21-25, 2014, Grenoble, France

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

821-823

発行年:

2015

開始ページ:

604

終了ページ:

607

総ページ数:

4

出版情報:

Aedermannsdorf, Switzerland: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録