Investigation of Thermal Properties of Heavily Doped 4H-SiC Crystals by a Picosecond Transient Grating Technique

著者名:

• P. Ščajev
• A. Kadys
• K. Jarašiūnas

掲載資料名:

Silicon carbide and related materials 2008 : selected peer reviewed papers from the 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 7-11 Barcelona, Spain

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

615-617

発行年:

2009

開始ページ:

319

終了ページ:

322

総ページ数:

4

出版情報:

Aedermannsdorf, Switzerland: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録