Development of Lapping and Polishing Technologies of 4H-SiC Wafers for Power Device Applications

著者名:

• H. Yashiro
• T. Fujimoto
• N. Ohtani
• T. Hoshino
• M. Katsuno

掲載資料名:

Silicon carbide and related materials 2007 : selected peer reviewed papers from the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu Prince Hotel Covention Hall, Lake Biwa Resort, Otsu, Japan, October 14-19, 2007

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

600-603

発行年:

2009

パート:

2

開始ページ:

819

終了ページ:

822

総ページ数:

4

出版情報:

Aedermannsdorf, Switzerland: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録