Characterization of Tunneling Current Through Ultrathin Silicon Dioxide Films by Different-Metal Gates Method
- 著者名:
N. Yoshii T. Okazaki T. Hirokane S. Urabe K. Nishimura S. Morita M. Morita - 掲載資料名:
- Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface-5
- シリーズ名:
- ECS transactions
- シリーズ巻号:
- 1(1)
- 発行年:
- 2005
- 開始ページ:
- 277
- 終了ページ:
- 282
- 総ページ数:
- 6
- 出版情報:
- Pennington, N.J.: Electrochemical Society
- ISSN:
- 19385862
- ISBN:
- 9781566774307 [1566774306]
- 言語:
- 英語
- 請求記号:
- E23400/1-1
- 資料種別:
- 国際会議録
類似資料:
Electrochemical Society |
Electrochemical Society |
Electrochemical Society |
MRS - Materials Research Society |
MRS - Materials Research Society |
SPIE-The International Society for Optical Engineering |
MRS-Materials Research Society |
MRS - Materials Research Society |
North-Holland |
Electrochemical Society |
MRS - Materials Research Society |