Solution Growth of SiC Crystal with High Growth Rate Using Accelerated Crucible Rotation Technique

著者名:

Kusunoki, K.

Kamei, K.

Okada, N.

Yashiro, N.

Yauchi, A.

Ujihara, T.

Nakajima, K.

さらに 2 件

掲載資料名:

Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

527-529

発行年:

2006

パート:

1

開始ページ:

119

終了ページ:

122

総ページ数:

4

出版情報:

Stafa-Zuerich: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

ISBN:

9780878494255 [0878494251]

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録