Characterization Of Deep Levels In 3C-SiC By Optical Capacitance-Transient Spectroscopy

著者名:

• Nakakura, Y.
• Kato, M.
• Ichimura, M.
• Arai, E.
• Tokuda, Y.

掲載資料名:

Defect and impurity engineered semiconductors and devices III : symposium held April 1-5, 2002, San Francisco, California, U.S.A.

シリーズ名:

Materials Research Society symposium proceedings

シリーズ巻号:

719

発行年:

2002

開始ページ:

167

終了ページ:

172

総ページ数:

6

出版情報:

Warrendale, Pa: Materials Research Society

ISSN:

02729172

ISBN:

9781558996656 [1558996659]

言語:

英語

請求記号:

M23500/719

資料種別:

国際会議録