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Characterization of 3C-SiC/SOI Deposited with HMDS

著者名:
Planes, N.
Aboughe-Nze, P.
Ravetz, M.
Contreras, S.
Vicente, P.
Chassagne, T.
Fraisse, B.
Camassel, J.
Monteil, Y.
Rushworth, S.
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掲載資料名:
Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999
シリーズ名:
Materials science forum
シリーズ巻号:
338-342(1)
発行年:
2000
開始ページ:
599
終了ページ:
602
総ページ数:
4
出版情報:
Zuerich, Switzerland: Trans Tech Publications
ISSN:
02555476
ISBN:
9780878498543 [0878498540]
言語:
英語
請求記号:
M23650
資料種別:
国際会議録

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