Radial Expansion Growth of SiC Single Crystals with Higher Crystal Quality

著者名:

Fujimoto, T.

Tsuge, H.

Katsuno, M.

Ohtani, N.

Yashiro, H.

Nakabayashi, M.

さらに 1 件

掲載資料名:

Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

457-460

発行年:

2004

開始ページ:

79

終了ページ:

82

総ページ数:

4

出版情報:

Uetikon-Zuerich: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

ISBN:

9780878499434 [0878499431]

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録