SiC Device Limitation Breakthrough with Novel Floating Junction Structure on 4H-SiC

著者名:

Adachi, K.

Omura, I.

Ono, R.

Nishio, J.

Shinohe, T.

Ohashi, H.

Arai, K.

さらに 2 件

掲載資料名:

Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

433-436

発行年:

2003

開始ページ:

887

終了ページ:

890

総ページ数:

4

出版情報:

Zuerich, Switzerland: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

ISBN:

9780878499205 [0878499202]

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録