Uniformization of Radial Temperature Gradient in Sublimation Growth of SiC

著者名:

• Tanaka, H.
• Nishiguchi, T.
• Sasaki, M.
• Ohshima, S.
• Nishino, S.

掲載資料名:

Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

433-436

発行年:

2003

開始ページ:

71

終了ページ:

74

総ページ数:

4

出版情報:

Zuerich, Switzerland: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

ISBN:

9780878499205 [0878499202]

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録