Properties of Free-Standing 3C-SiC Monocrystals Grown on Undulant-Si(001) Substrate

著者名:

• Nagasawa, H.
• Yagi, K.
• Kawahara, T.
• Hatta, N.

掲載資料名:

Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

433-436

発行年:

2003

開始ページ:

3

終了ページ:

8

総ページ数:

6

出版情報:

Zuerich, Switzerland: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

ISBN:

9780878499205 [0878499202]

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録