Effects of Successive Annealing of Oxides on Electrical Characteristics of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Structures

著者名:

• Yoshikawa, M.
• Satoh, M.
• Ohshima, T.
• Itoh, H.

掲載資料名:

Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

389-393

発行年:

2002

開始ページ:

1009

終了ページ:

1012

総ページ数:

4

出版情報:

Zuerich, Switzerland: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

ISBN:

9780878498949 [087849894X]

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録