Characterization of Deep Levels in SiC by Photoluminescence Spectroscopy and Mapping

著者名:

• Tajima,M.
• Kumagaya,Y.
• Nakata,T.
• Inoue,M.
• Nakamura,A.

掲載資料名:

Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

264-268

発行年:

1998

巻:

Part1

開始ページ:

481

終了ページ:

484

出版情報:

Zuerich, Switzerland: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

ISBN:

9780878497911 [0878497919]

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録