Laser annealing of Te-implanted III-V semiconductors studied by Mossbauer spectroscopy
- 著者名:
- Van Rossum, M. ( Instituut voor Kern- en Stralingsfysika, leuven University )
- Dezsi, I. ( Instituut voor Kern- en Stralingsfysika, leuven University )
- Langouche, G. ( Instituut voor Kern- en Stralingsfysika, leuven University )
- De Bruyn J. ( Instituut voor Kern- en Stralingsfysika, leuven University )
- Coussement, R. ( Instituut voor Kern- en Stralingsfysika, leuven University )
- 掲載資料名:
- Nuclear and electron resonance spectroscopies applied to materials science : proceedings of the Materials Research Society Annual Meeting, November 1980, Copley Plaza Hotel, Boston, Massachusetts, U.S.A.
- シリーズ名:
- Materials Research Society symposia proceedings
- シリーズ巻号:
- 3
- 発行年:
- 1981
- 開始ページ:
- 359
- 終了ページ:
- 363
- 出版情報:
- New York, N.Y.: North Holland
- ISSN:
- 02729172
- ISBN:
- 9780444005977 [0444005978]
- 言語:
- 英語
- 請求記号:
- M23500/3
- 資料種別:
- 国際会議録
類似資料:
North Holland |
Trans Tech Publications |
North-Holland |
Trans Tech Publications |
Martinus Nijhoff Publishers |
Materials Research Society |
4
国際会議録
Mossbauer Study of the Electronic and Vibrational Properties of Implanted Te in GaAs and AlxGal-XAS
Trans Tech Publications |
MRS - Materials Research Society |
MRS - Materials Research Society |
MRS - Materials Research Society |
Trans Tech Publications |
Materials Research Society |